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原子沉積系統在各個(gè)行業(yè)的具體應用

更新時(shí)間:2021-03-22      點(diǎn)擊次數:1008
  原子沉積系統的原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數的高度可控型(厚度、成份和結構)
 
  原子沉積系統,一開(kāi)始稱(chēng)為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),也稱(chēng)為原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體物種,化學(xué)吸附的過(guò)程直至表面飽和時(shí)就自動(dòng)終止,適當的過(guò)程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
 
  可以沉積的材料包括:氧化物,氮化物,氟化物,金屬,碳化物,復合結構,硫化物,納米薄層等。
 
  半導體領(lǐng)域:
 
  晶體管柵極電介質(zhì)層(高k材料),光電元件的涂層,晶體管中的擴散勢壘層和互聯(lián)勢壘層(阻止摻雜劑的遷移),有機發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,集成電路中的互連種子層,DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層,集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層,電磁記錄頭的涂層,集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
 
  納米技術(shù)領(lǐng)域:
 
  中空納米管,隧道勢壘層,光電電池性能的提高,納米孔道尺寸的控制,高高寬比納米圖形,微機電系統(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層,納米晶體,ZnSe涂層,納米結構,中空納米碗,存儲硅量子點(diǎn)涂層,納米顆粒的涂層,納米孔內部的涂層,納米線(xiàn)的涂層。
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